<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <channel rdf:about="https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/91">
    <title>DSpace Collection:</title>
    <link>https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/91</link>
    <description />
    <items>
      <rdf:Seq>
        <rdf:li rdf:resource="https://ikr.inceif.org/retrieve/aa20be89-e16f-4187-a5fd-2905dabf24b1/19010085_DangBuiNhatLe.pdf.jpg" />
        <rdf:li rdf:resource="https://ikr.inceif.org/retrieve/bdb714c7-f829-4693-937b-1760e4e82994/19010088_BuiHuuPhi.pdf.jpg" />
        <rdf:li rdf:resource="https://ikr.inceif.org/retrieve/a6eadd78-7c2e-4fc0-9c1e-b0352009d3df/19010081_NguyenThuHien.pdf.jpg" />
        <rdf:li rdf:resource="https://ikr.inceif.org/retrieve/0d06c379-6550-412c-af49-74b0245c1249/19010074_DuongDucAnh.pdf.jpg" />
      </rdf:Seq>
    </items>
    <dc:date>2026-04-22T02:00:46Z</dc:date>
  </channel>
  <item rdf:about="https://ikr.inceif.org/retrieve/aa20be89-e16f-4187-a5fd-2905dabf24b1/19010085_DangBuiNhatLe.pdf.jpg">
    <title>Ứng dụng trí tuệ nhân tạo trong nghiên cứu phổ quang học</title>
    <link>https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10294</link>
    <description>Title: Ứng dụng trí tuệ nhân tạo trong nghiên cứu phổ quang học
Authors: Đặng, Bùi Nhật Lê
Abstract: "Hiện nay, năng lượng mặt trời là một trong những loại năng lượng sạch được sử dụng rộng rãi nhất. Quá trình hấp thụ bức xạ quang phổ mặt trời đóng vai trò cực kỳ quan trọng trong việc tận dụng nguồn năng lượng này. Chúng tôi đã sử dụng phần mềm CST để thiết kế và mô phỏng sự hấp thụ của hệ hai lớp vật liệu TiN dựa trên cấu trúc vòng nano trong phạm vi bước sóng 200 – 3000 nm. Các tính toán mô phỏng cho thấy cấu trúc được thiết kế thể hiện độ hấp thụ trung bình 93% và tỷ lệ năng lượng hấp thụ trong bức xạ quang phổ AM1.5 có thể đạt tới 95,5%, với độ hấp thụ duy trì cho đến góc tới 40°. Sự phân bố điện trường và từ trường cho thấy độ hấp thụ cao được tạo ra bởi hiện tượng cộng hưởng plasmonic giữa các cấu trúc nano, bởi các cơ chế giam giữ và hấp thụ ánh sáng khác nhau. &#xD;
Đồng thời, chúng tôi đã áp dụng các thuật toán học máy để phân tích và dự đoán ảnh hưởng của các thành phần cấu trúc trong vật liệu nano lên phổ quang học. Dựa trên so sánh với kết quả mô phỏng và các nghiên cứu trước đó, mô hình học máy Decision Tree đã được xác định là phù hợp nhất cho bài toán tối ưu hóa cấu trúc, với hệ số xác định lên đến 0.99 và thời gian dự đoán vượt trội. Các kết quả của nghiên cứu này đem lại tiềm năng lớn trong việc giải quyết những thách thức về năng lượng hiện nay mà chúng ta đang phải đối mặt."</description>
    <content:encoded>Study</content:encoded>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="https://ikr.inceif.org/retrieve/bdb714c7-f829-4693-937b-1760e4e82994/19010088_BuiHuuPhi.pdf.jpg">
    <title>Ứng dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử trong điều khiển tính chất của dược chất</title>
    <link>https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10297</link>
    <description>Title: Ứng dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử trong điều khiển tính chất của dược chất
Authors: Bùi, Hữu Phi
Abstract: "Metformin đã và đang đặt ra nhiều thách thức trong bào chế và lâm sàng. Đề tài này sử dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử ALD nhằm mục đích vừa giải quyết những khiếm khuyết của bột dược chất trong bào chế, vừa điều khiển tốc độ giải phóng trong môi trường in vitro. Kết quả quan sát ảnh SEM cho thấy lớp màng SiO2 phủ tương đối đều trên bề mặt các hạt bột dược. Kết quả thông qua việc phân tích phổ XPS và EDX chứng tỏ sự lắng đọng thành công của vật liệu SiO2 trên bề mặt dược chất metformin. Dữ liệu phân tích từ phổ FTIR và XRD khẳng định việc tạo màng SiO2 không làm thay đổi cấu trúc phân tử và cấu trúc tinh thể của dược chất metformin. &#xD;
Kết quả phân tích ảnh hưởng của số chu trình ALD đến tốc độ hòa tan của dược chất cho thấy tốc độ của mẫu metformin sau khi phủ 100 chu trình ALD đã giảm đi 8 lần so với mẫu metformin ban đầu.  Ngoài ra, các khảo sát ban đầu về ảnh hưởng của hàm lượng tiền chất SiCl4 và H2O cho thấy tốc độ tan của metformin có thể giảm đi 10 lần (hoặc hơn) nếu tối ưu được hàm lượng SiCl4 và H2O trong mỗi chu trình ALD."</description>
    <content:encoded>Study</content:encoded>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="https://ikr.inceif.org/retrieve/a6eadd78-7c2e-4fc0-9c1e-b0352009d3df/19010081_NguyenThuHien.pdf.jpg">
    <title>Tổng hợp và khảo sát tính chất quang của SrO-SiO2-Al2O3 : Ce3+</title>
    <link>https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10293</link>
    <description>Title: Tổng hợp và khảo sát tính chất quang của SrO-SiO2-Al2O3 : Ce3+
Authors: Nguyễn, Thu Hiền
Abstract: "Đồ án tốt nghiệp trình bày các kết quả nghiên cứu chế tạo được hệ vật liệu SrAl2Si2O8 pha tạp ion đất hiếm Ce3+ (SAS:Ce) dựa trên vật liệu nền SrCO3 – SiO2 – Al2O3 bằng phương pháp phản ứng pha rắn có khả năng phát xạ vùng ánh sáng màu xanh lục lam (cyan) định hướng ứng dụng trong việc cải thiện chất lượng đèn LED ánh sáng trắng. Chương 1 tổng quan trình bày về lịch sử chiếu sáng và cơ sở lý thuyết về vật liệu huỳnh quang SAS:Ce, cũng như phương pháp thực nghiệm phản ứng pha rắn. Chương 2 thực nghiệm trình bày các phương pháp phân tích và chế tạo vật liệu bằng phương pháp phản ứng pha rắn định hướng ứng dụng cho WLED chất lượng cao được mô tả chi tiết. Hai hệ vật liệu gồm (1) bột huỳnh quang SrCO3–SiO2– Al2O3 pha tạp x % mol ion Ce3+ (x = 0 – 1,0 – 2,0 – 2,5 – 3,0 ) và hệ vật liệu SrCO3–SiO2– Al2O3:1% Ce3+ với tỷ lệ thành phần khác nhau đã được chế tạo và thử nghiệm. Các mẫu bột huỳnh quang, sau khi được chế tạo, được xử lý nhiệt tại 900, 1000, 1050, 1100, 1150 và 1200 °C. Kết quả nghiên cứu và thảo luận được trình bày trong chương 3. Phổ huỳnh quang (PL) cho thấy khi được kích thích bằng bước xạ 266nm bột huỳnh quang SrAl2Si2O8 pha tạp ion Ce3+ phổ phát xạ rộng trong dải bước sóng từ 400 nm đến 600 nm với đỉnh phát xạ cực đại tại bước sóng 468 nm. Phổ kích thích huỳnh quang (PLE) khi thu được tại bước sóng 468 nm cũng có dạng phổ rộng với bước sóng từ 250 nm đến 290 nm và đỉnh hấp thụ mạnh nhất tại 266 nm.&#xD;
Các nghiên cứu chi tiết cho thấy tại nhiệt độ ủ trên 1150 °C, bột huỳnh quang nóng chảy hóa thủy tinh trong suốt. Huỳnh quang của Ce3+ đạt cao nhất ứng với các mẫu có nhiệt độ xử lý nhiệt tại 1000 °C. Cường độ huỳnh quang lớn nhất ứng với các mẫu pha tạp ion Ce3+ nằm trong khoảng 2,5 % mol. Các cơ chế giải thích và khả năng ứng dụng của hệ vật liệu này cũng được nghiên cứu và đề xuất."</description>
    <content:encoded>Study</content:encoded>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="https://ikr.inceif.org/retrieve/0d06c379-6550-412c-af49-74b0245c1249/19010074_DuongDucAnh.pdf.jpg">
    <title>Phát triển màng mỏng CuOx bằng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển định hướng ứng dụng trong linh kiện điện tử nano</title>
    <link>https://dlib.phenikaa-uni.edu.vn/handle/PNK/10291</link>
    <description>Title: Phát triển màng mỏng CuOx bằng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển định hướng ứng dụng trong linh kiện điện tử nano
Authors: Dương, Đức Anh
Abstract: CuOx là một vật liệu bán dẫn loại p nhiều tiềm năng đã được nghiên cứu và ứng dụng trong một số lĩnh vực như trong tế bào quang điện, transistor màng mỏng, cảm biến khí hay siêu tụ… Trong khi đó, công nghệ lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển là một trong những công nghệ tiên tiến nhất hiện nay, cho phép chế tạo màng mỏng ở mức nano và có thể kiểm soát được thông qua các điều kiện chế tạo như nhiệt độ, nồng độ hóa hơi các chất khí hay bản chất bề mặt đế lên tính chất vật lý, hóa học… Trong đồ án này, chúng tôi đã nghiên cứu và tối ưu quy trình SALD. Bằng công nghệ này, lần đầu tiên tiền chất Cu(II) acetylacetonate được sử dụng để chế tạo màng CuOx, trong đó việc kiểm soát pha CuO hay Cu2O phải được điểu khiển. Bằng các phương pháp phân tích hiện đại, các tính chất đặc trưng của màng mỏng CuOx được nghiên cứu và đo đạc. Kết hợp với các kết quả đã tối ưu từ trước đến giờ của nhóm, việc chế tạo linh kiện điện tử nano, ví dụ diode bán dẫn màng mỏng nano dựa trên màng CuOx loại p và màng ZnO hoặc SnO2 loại n cũng đã được tiến hành. Các kết quả phân tích cho thấy màng mỏng CuOx là vật liệu bán dẫn loại p đầy tiềm năng, có khả năng ứng dụng được trong một số lĩnh vực như cảm biến khí, cảm biến tia UV hoặc trong vi mạch điện tử trong suốt.</description>
    <content:encoded>Study</content:encoded>
    <dc:date>2024-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
</rdf:RDF>

