Phát triển màng mỏng bán dẫn nano dựa trên ô xit kim loại sử dụng phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển

Abstract

Luận văn giới thiệu về ô xít kim loại bán dẫn và vai trò của chúng trong các thiết bị hiện đại, các phương pháp phổ biến để tổng hợp, chế tạo các màng mỏng ô xít kim loại, đặc biệt là phương pháp lắng đọng đơn lớp nguyên tử ở áp suất khí quyển (SALD) có những ưu điểm so với các phương pháp khác. Luận văn đã đưa ra lý thuyết về các chế độ | tạo màng như CVD, ALD, chế độ lại và ảnh hưởng của các tham số tới quá trình tạo màng (khoảng cách từ đầu phun tới bề mặt đề (dgap), khoảng cách giữa các kênh khí (dsepa), hệ số khuếch tán của tiền chất (D[M], D[0])). Ngoài ra các kết quả thực nghiệm khi chế tạo màng mỏng ô xít thiếc (SnO2) và ô xít kẽm (ZnO) cũng được phân tích bằng các phương pháp khảo sát vật liệu (XRD, UV-Vis,...) và so sánh với các kết quả mô phỏng, lý thuyết